15 серпня 2011 р. | Автор: crok | Переглядів: 921 | Коментарів: 0
Накопичувачі на основі мемристорів замінять флеш-пам‘ять та DRAM
Фахівцям компанії Hewlett-Packard вдалося ще на один крок наблизитися до розробки пристроїв зберігання даних нового покоління, заснованих на мемристорах.
Мемристори вважаються четвертим пасивним елементом мікросхем після резистора, конденсатора та котушки індуктивності. Можливість існування мемристора була передвіщена в 1971 році професором Каліфорнійського університету в Берклі (США) Леоном Чуа (Leon Chua),однак на практиці створити прототип мемристора довгий час не вдавався.
В 2008 році вчені HP змогли отримати дослідний зразок. Ключовою особливістю елемента цього типу є гістерезис, коли реакція на вплив залежить від сил, що діяли раніше, тобто стан системи визначається її власною історією. Струм, що проходить крізь мемристор, приводить до зміни його атомної структури, в результаті чого опір елемента змінюється в тисячу і більше разів. Завдяки цьому елемент можна використовувати як комірку пам‘яті.
Як тепер повідомляється, фахівці НР, використовуючи рентгенівське випромінювання, змогли встановити, які процеси відбуваються в структурі мемристорів у момент проходження крізь них електричного струму. Крім того, інженери розробили дослідний зразок енергонезалежної пам‘яті на основі мемристорів, що забезпечує щільність зберігання даних в 12 Гб/см2.
Очікується, що комерційні пристрої на основі мемристорів можуть з‘явитися в середині 2013 року. Така пам‘ять розглядається як потенційна заміна флеш-пам‘яті та пам‘яті DRAM.
За матеріалами журналу Nanotechnology.
Накопичувачі на основі мемристорів замінять флеш-пам‘ять та DRAM
Фахівцям компанії Hewlett-Packard вдалося ще на один крок наблизитися до розробки пристроїв зберігання даних нового покоління, заснованих на мемристорах.
Мемристори вважаються четвертим пасивним елементом мікросхем після резистора, конденсатора та котушки індуктивності. Можливість існування мемристора була передвіщена в 1971 році професором Каліфорнійського університету в Берклі (США) Леоном Чуа (Leon Chua),однак на практиці створити прототип мемристора довгий час не вдавався.
В 2008 році вчені HP змогли отримати дослідний зразок. Ключовою особливістю елемента цього типу є гістерезис, коли реакція на вплив залежить від сил, що діяли раніше, тобто стан системи визначається її власною історією. Струм, що проходить крізь мемристор, приводить до зміни його атомної структури, в результаті чого опір елемента змінюється в тисячу і більше разів. Завдяки цьому елемент можна використовувати як комірку пам‘яті.
Як тепер повідомляється, фахівці НР, використовуючи рентгенівське випромінювання, змогли встановити, які процеси відбуваються в структурі мемристорів у момент проходження крізь них електричного струму. Крім того, інженери розробили дослідний зразок енергонезалежної пам‘яті на основі мемристорів, що забезпечує щільність зберігання даних в 12 Гб/см2.
Очікується, що комерційні пристрої на основі мемристорів можуть з‘явитися в середині 2013 року. Така пам‘ять розглядається як потенційна заміна флеш-пам‘яті та пам‘яті DRAM.
За матеріалами журналу Nanotechnology.
Додати коментар:
